11 月 17 日消息，三星力求在 2 納米時(shí)代重振其晶圓代工業(yè)務(wù)，目前看來已步入正軌。該公司近日公布了其下一代制程工藝的首批量產(chǎn)成果，顯示出相較前代工藝顯著的性能提升。即將搭載于 Galaxy S26 的 Exynos 2600 芯片即采用該工藝制造。此外，據(jù)稱三星已成功為這一先進(jìn)制造技術(shù)爭(zhēng)取到其他芯片客戶。

據(jù) Dailian 報(bào)道，三星在其第三季度財(cái)報(bào)中披露，其第一代 2 納米全環(huán)繞柵極（Gate-All-Around, GAA）制程相較于第二代 3 納米技術(shù)有了顯著提升：性能提升 5%，能效提升 8%；芯片面積更縮減了 5%，表現(xiàn)頗為亮眼。

近年來，三星晶圓代工部門持續(xù)面臨行業(yè)龍頭、同時(shí)也是主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電（TSMC）的激烈競(jìng)爭(zhēng)。根據(jù) 2025 年第二季度數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在全球晶圓代工市場(chǎng)所占份額已超 70%。不過，行業(yè)分析人士普遍認(rèn)為，向 2 納米技術(shù)的過渡有望為三星縮小與臺(tái)積電的差距創(chuàng)造契機(jī)。

據(jù)IT之家了解，三星與臺(tái)積電均在 2 納米節(jié)點(diǎn)采用 GAA 架構(gòu)，但兩者技術(shù)路徑存在差異：臺(tái)積電系首次在 2 納米節(jié)點(diǎn)引入 GAA，而三星早在其上一代 3 納米制程中已率先應(yīng)用該架構(gòu)。這意味著三星在 GAA 技術(shù)上已積累了一代量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，或具備一定先發(fā)優(yōu)勢(shì)。其實(shí)際競(jìng)爭(zhēng)力如何，尚待搭載 Exynos 2600 芯片的 Galaxy S26 手機(jī)正式上市并接受市場(chǎng)檢驗(yàn)后方能揭曉。

關(guān)鍵仍然在于良率，通常認(rèn)為 60% 以上的良率適合量產(chǎn)。臺(tái)積電在 2 納米工藝上實(shí)現(xiàn)了約 80% 的良率，被認(rèn)為已進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段。據(jù)悉，三星電子已將良率提升至 50%~60% 的水平。